晶圆是如何制造出来的?
芯片,晶圆是何制人类科技的精华,也被称为现代工业皇冠上的造出明珠 。
芯片的晶圆基本组成是晶体管。晶体管的何制基本工作原理其实并不复杂 ,但在指甲盖那么小的造出面积里 ,塞入数以百亿级的晶圆晶体管,就让这件事情不再简单 ,何制甚至算得上是建站模板造出人类有史以来最复杂的工程,没有之一。晶圆
接下来这段时间,何制小枣君会通过一系列文章 ,造出专门介绍芯片的晶圆制造流程 。
今天这篇 ,何制先讲讲晶圆制造 。造出
主要阶段和分工介绍晶圆之前,小枣君先介绍一下芯片制造的一些背景知识。
芯片的制造,需要经过数百道工序。我们可以先将其归纳为四个主要阶段——芯片设计 、香港云服务器晶圆制备 、芯片制造(前道) 、封装测试(后道)。

我们经常会听说Fabless 、Foundry、IDM等名词。这些名词 ,和芯片行业的分工有密切关系 。
通常来说 ,行业里有些企业,只专注于芯片的设计 。芯片的制造、封装和测试 ,高防服务器都不做 。这些企业 ,就属于Fabless企业 ,例如高通、英伟达、联发科、(以前的)华为等。
也有些企业 ,专门负责生产芯片 ,没有自己品牌的芯片。这些企业,就属于Foundry,晶圆代工厂 。
最著名的源码库Foundry,当然是我国台湾省的台积电 。中芯国际(SMIC)、联华电子(UMC) 、华虹集团等,也属于Foundry。
芯片制造的难度比芯片设计还高 。我们国内很多企业都具备先进制程芯片的设计能力 ,但找不到Foundry把芯片造出来。所以 ,通常说的“卡脖子”,源码下载就是指的芯片制造这个环节 。
Foundry生产出来的芯片 ,一般叫裸片 。裸片是没法直接用的,需要经过封装 、测试等环节 。专门做封装和测试的厂家,就是OSAT(Outsourced Semiconductor Assembly and Test ,外包半导体封装与测试)。服务器租用
当然,有的晶圆厂自己也有自己的封测厂,但通常不如OSAT灵活好用 。业界比较知名的OSAT玩家有 :日月光(ASE) 、长电科技、联合科技(UTAC)、Amkor等。
最后就是IDM。
IDM是Integrated Device Manufacturer(整合元件制造商)的简称 。有些公司,既做芯片设计,又做晶圆生产,还做封测 ,端到端全部都做 。这种企业,就叫做IDM 。

全球具备这种能力的企业,不是太多 ,包括英特尔 、三星、德州仪器 、意法半导体等。
IDM看上去很厉害,什么都能干 。但实际上,芯片这个产业过于庞大,精细化分工是大势所趋 。Fabless+Foundry模式,术业有专攻,在专业性 、效率和收益方面 ,都更有优势 。
AMD曾经也是IDM,但后来改弦更张,也走轻资产的Fabless模式了 。它的晶圆厂被剥离出去后,摇身一变,成了全球前五的晶圆代工厂:格罗方德(GlobalFoundries) 。
晶圆制备好了 ,接下来,我们来看具体的制造过程。
首先,还是从最基本的晶圆制备说起 。

这个,就是晶圆
我们经常说,芯片是沙子造的。其实 ,主要是因为沙子里面,含有大量的硅(Si)元素 。

硅是地壳内第二丰富的元素,仅次于氧
沙子里有硅 ,但是纯度很低,而且是二氧化硅(SiO2) 。我们不能随便抓一把沙子就拿来提炼硅 。通常,会选用含硅量比较高的石英砂矿石。

高纯石英砂矿石
第一步 ,脱氧 、提纯 。
将石英砂原料放入熔炉中,加热到1400℃以上的高温(硅的熔点为1410℃) ,与碳源发生化学反应,就可以生成高纯度(98%以上)的冶金级工业硅(MG-Si) 。

冶金级工业硅
随后 ,通过氯化反应和蒸馏工艺 ,进一步提纯,得到纯度更高的硅 。
硅这个材料 ,不仅可以用于半导体芯片制造 ,也可以用于光伏行业(太阳能发电)。
在光伏行业,对硅的纯度要求是99.9999%到99.999999%,也就是4~6个9,叫(SG-Si)。

光伏板
在半导体芯片行业 ,对硅的纯度要求更加变态 ,是99.9999999%到99.999999999% ,也就是9~11个9 。这种用于半导体制造的硅 ,学名电子级硅(EG-Si) ,平均每一百万个硅原子中最多只允许有一个杂质原子 。
第二步 ,拉单晶硅(铸锭)
这种经过提纯之后的硅,是多晶硅 。接下来 ,还需要把它变成单晶硅。
之前介绍半导体发展简史的时候 ,小枣君给大家解释过单晶硅和多晶硅 。
简单来说 ,单晶硅具有完美的晶体结构,有非常好的性能 。多晶硅,晶粒大、不规则、缺陷多 ,各种性能都相对差 。所以 ,芯片这种高端货 ,基本都使用单晶硅。光伏那边 ,可以用多晶硅。

将多晶硅变成单晶硅,目前主流的制法 ,是柴克拉夫斯基法(也就是直拉法)。
首先 ,加热熔化高纯度多晶硅 ,形成液态的硅 。

规模庞大的单晶熔炉
然后,将一条细小的单晶硅作为引子(也叫做硅种 、籽晶) ,伸入硅溶液 。
接着 ,缓慢地向上旋转提拉。被拉出的硅溶液 ,因为温度梯度下降 ,会凝固成固态硅柱。

在硅种的带领下,离开液面的硅原子凝固后都是“排着队”的 ,也就变成了排列整齐的单晶硅柱。
(注意,拉的速度不太一样。最开始 ,是以6mm/分钟的速度,拉出10cm左右的固态硅柱 。这主要是因为 ,晶体刚刚形成时,会因为热冲击,晶相不稳定,容易产生晶体缺陷 。拉出10cm长度之后,就可以减速了,变成缓慢提拉。)
旋转拉起的速度以及温度的控制,对晶柱品质有很大的影响。硅柱尺寸愈大时,拉晶对速度与温度的要求就更高 。

最后,会拉出一根直径通常为30厘米,长度约1-1.5米的圆柱形硅柱 。这个硅柱,就是晶棒 ,也叫做硅锭(呵呵,和“龟腚”、“规定”同音)。

第三步 ,晶圆切割。
拉出来的硅锭 ,要截去头和尾,然后切成一片片特定厚度的薄片(硅片) 。
目前主流的切片方式,是采用带有金刚线的多线切割机,也就是用线上固定有金刚石颗粒的钢丝线,对硅段进行多段切割 。这种方法的效率高、损耗少 。

金刚线锯
切片有时候也会采用内圆锯 。内圆锯则是内圆镀有金刚石的薄片,通过旋转内圆薄片切割晶锭。内圆锯的切割精度和速度相对较高,适用于高质量晶圆的切割。

内圆锯
硅片非常脆弱,所以切割过程也需要十分小心 ,要严格控制温度和振动 。切割时,需要使用水基或油基的切割液,用来冷却和润滑,以及带走切割产生的碎屑 。
第四步,倒角 、研磨 、抛光。
切割得到的硅片,被称为“裸片”,即未经加工的“原料晶圆”。
裸片的表面会非常粗糙,而且会有残留切割液和碎屑 。因此 ,需要倒角、研磨 、抛光、清洗等工艺,完成切割后的处理,最终得到光滑如镜的“成品晶圆(Wafer)”。
倒角,就是通过倒角机 ,把硅片边缘的直角边磨成圆弧形 。这是因为高纯度硅是一种脆性很高的材料,这样处理可以降低边缘处发生崩裂的风险。
研磨,就是粗研磨,使晶圆片表面平整、平行 ,减少机械缺陷。
研磨后,晶圆会被置于氮化酸与乙酸的混合溶液中进行蚀刻,以去除表面可能存在的微观裂纹或损伤。完成蚀刻后,晶圆会再经过一系列高纯度的RO/DI水浴处理,以确保其表面的洁净度。
晶圆在一系列化学和机械抛光过程中抛光,称为CMP(Chemical Mechanical Polish ,化学机械抛光) 。
其中 ,化学反应阶段,抛光液中富含的化学成分,与待处理的晶圆材料发生化学反应 ,生成易于清除的化合物 ,或使材料表面软化。
机械研磨阶段 ,借助抛光垫和抛光液中的磨粒 ,对晶圆材料进行机械性的磨削 ,从而去除在化学反应阶段生成的化合物,以及材料表面的其他杂质。

在CMP工艺中,首先需要将待抛光的晶圆固定在抛光机的晶圆夹具上。接着 ,抛光液被均匀地分配在晶圆和抛光垫之间。然后,抛光机通过施加适当的压力和旋转速度,对晶圆进行抛光 。
CMP是芯片制造过程中的一个常见工序(后面还会再用到)。它的核心目标是实现全局平坦化(Global Planarization),即在纳米级精度下消除晶圆表面的高低差异(如金属层 、介质层的不均匀性),为后续光刻等工艺做好准备。
第五步 ,清洗。
抛光完成之后,晶圆需要经过彻底清洗,去除残留的抛光液和磨粒。
清洗通常包括酸、碱 、超纯水冲洗等多个步骤 ,每一步同样也要求在洁净室环境下进行,以避免任何新的杂质附着在晶圆表面上 。
第六步,检测和分类。
抛光之后得到的晶圆,也叫抛光片。
最后,使用光学显微镜或其他检测设备对抛光效果进行严格检查,确保晶圆的表面平坦度、材料去除量、厚度、表面缺陷等指标全都符合预期要求 。
检测合格的晶圆 ,将进入下一工序。检测不合格的 ,进行返工或者废弃处理。

需要注意!在实际生产中,晶圆边缘会切割出平角(Flat)或缺口(Notch) ,以便于后续工序中的定位和晶向确定 。另外,在晶圆的反面边缘,也会打上序号标签 ,方便物料跟踪。
关于晶圆的常见问题好啦 ,晶圆已经制备完成了 。接下来,我们回答几个关于晶圆的常见问题 。
问题1:晶圆的尺寸有多大 ?
经过处理得到的成品晶圆,有多种尺寸规格,例如 :2英寸(50mm) 、3英寸(75mm) 、4英寸(100mm) 、5英寸(125mm) 、6英寸(150mm)、8英寸(200mm)、12英寸(300mm)等 。

小尺寸晶圆
其中,8英寸和12英寸 ,最为常见 。
晶圆的厚度 ,必须严格遵循SEMI规格等标准。例如,12英寸晶圆的厚度,通常控制在775μm±20μm(微米)范围内,也就是0.775毫米左右 。
晶圆尺寸越大 ,每片晶圆可制造芯片数量就越多 ,单位芯片成本就越低 。
以8英寸与12英寸硅片为例 。在同样工艺条件下,12英寸晶圆可使用面积超过 8英寸晶圆两倍以上,可使用率(衡量单位晶圆可生产芯片数量的指标)是8英寸硅片的2.5倍左右。
但是 ,尺寸越大,就越难造 ,对生产技术、设备 、材料、工艺要求就越多。
12英寸,可以在收益和难度之间维持一个比较好的平衡。
问题2:晶圆为什么是圆的?
首先,前面说了,拉单晶拉出来的 ,就是圆柱体 ,所以 ,切割后,就是圆盘。
其次 ,圆柱形的单晶硅锭,更便于运输,可以尽量避免因磕碰导致的材料损耗。
第三,圆形晶圆在制造过程中,更容易实现均匀加热和冷却 ,减少热应力 ,提高晶体质量 。
第四 ,晶圆做成圆的 ,对于芯片的后续工艺 ,也有一定帮助。
第五 ,是面积利用率上有优势 。后面我们会介绍 ,晶圆上面会制作很多芯片。芯片确实是方的 。从道理上来说,好像晶圆是方的 ,更适合方形的芯片(边缘不会有浪费)。

但事实上 ,即便是做成了“晶方”,一些边缘仍然是不可利用的 。计算数据表明 ,圆形边缘比方形浪费更少 。
问题3:晶圆一定是硅材料吗?
不一定 。
不只有硅能做成晶圆。目前,半导体材料已经发展到第四代。
第一代半导体材料以 Si(硅) 、Ge(锗)为代表。第二代半导体材料以 GaAs(砷化镓)、InP(磷化铟)为代表。第三代半导体材料以 GaN(氮化镓)、SiC(碳化硅)为代表。第四代半导体材料以氮化铝(AlN) 、氧化镓(Ga2O3)、金刚石(C)为代表 。
不过,目前仍有90%以上芯片需使用半导体硅片作为衬底片 。因为它拥有优异的半导体性能 、丰富的储量及成熟的制造工艺。
关于晶圆制备,今天就介绍到这里 。